美发布《芯片和科学法案》“护栏条款”最终规则

引 言

2022年8月9日，《芯片与科学法案》经美国总统签署生效。该法案的第一部分《芯片法案》(CHIPS Act)旨在实施半导体激励计划，通过拨款390亿美元为半导体企业提供补贴，资助其在美国境内进行的半导体制造、组装、检测、封装及研发方面的投资。

《芯片法案》设置了“护栏条款”，明文禁止企业在获取美国联邦政府的补贴后提高其在中国境内的特定半导体设施的产能（“产能扩大限制”），或与中国实体进行涉及特定先进半导体的合作研发或技术许可活动（“合作研发及技术许可限制”）。“护栏条款”的设置，意图迫使半导体行业的领先企业在美国补贴与中国市场之间“选边站”，以进一步削弱中国的先进半导体的产能及研发能力。

为实施该“护栏条款”，经过数月的公众评论，美国商务部于2023年9月22日发布最终规则，进一步细化和明确产能扩大限制及合作研发及技术许可限制的适用范围。本文将通过Q&A的形式就该规则的具体内容及对中国企业的影响进行简要介绍。

一、“护栏条款”核心要点问答

Q1：“护栏条款”的适用对象？

“护栏条款”的适用对象不分国籍、地域，任何申请获取美国联邦政府在半导体激励计划项下财政补贴的企业都需遵守“护栏条款”。

Q2：什么是成熟制程半导体(legacy semiconductor)生产设施？

成熟制程半导体生产设施不仅包括半导体制造设施，还包括硅片制造设施及半导体封装设施（此为本次最终规则的重要新增内容，即扩大了对半导体制造阶段的认定范围）。下列生产设施落入成熟制程半导体生产设施的范围：

• 生产8英寸或更小的硅片(silicon wafer)及6英寸或更小的化合物硅片(compound wafer)的生产设施；

• 制造28 nm或更成熟制程的数字或模拟逻辑芯片的fab厂；

• 制造半节距大于18nm的DRAM芯片或层数少于128层的NAND芯片，且不使用诸如过渡金属氧化物、相变存储器、钙钛矿或铁磁性材料等新兴技术的fab厂；

• 不使用3D堆叠封测技术的半导体封测设施。

需注意的是，生产下列半导体的设施不属于成熟制程半导体生产设施：

• 利用纳米材料的半导体，包括一维和二维碳异构体，如石墨烯和碳纳米管；

• 化合物和宽带隙以及超宽带隙半导体；

• 经抗辐射处理的半导体（RHBP）；

• 完全耗尽的绝缘体上硅（FD-SOI）半导体，除了对于28纳米一代或更早一代的半导体的封装操作；

• 硅光子半导体；

• 用于量子信息系统设计的半导体；

• 用于在低温环境（小于等于77Kelvin）运行的半导体；

• 非平面晶体管结构的半导体（FinFET 或GAAFET）；

• 使用先进3D堆叠封测技术的半导体。

Q3：如何理解产能扩大限制？

产能扩大限制禁止获取补贴的企业或其关联企业（关联企业采用美国税法26 U.S.C. 1504的定义，主要指同一集团项下由共同母公司直接持有80%以上股权或投票权的企业¹）在获取补贴后的10年内进行下列产能扩大活动：

• 针对非成熟制程的半导体生产设施，通过增加洁净室、产线或其他设施的形式，将其在中国、伊朗、朝鲜、俄罗斯等国家境内的产能扩大5%以上；

• 针对成熟制程的半导体生产设施，通过增加洁净室、产线或其他设施的形式，将其在中国等国家境内的产能扩大10%以上，除非该生产设施85%及以上产量将被并入在中国等国家境内使用及消耗的最终产品。

Q4：产能扩大限制的目的？

产能扩大限制是为了鼓励领先硅片厂、fab厂及封测厂商在美国境内建厂，胁迫其停止扩张甚至减少在中国的产能，以提升美国在半导体供应链中的优势地位，同时限制中国先进及成熟制程半导体制造的发展。

Q5：合作研发及技术许可限制的对象？

合作研发及技术许可限制禁止获取补贴的企业在明知情况下，与“引起担忧”的外国主体进行与“可能引起国家安全风险的技术及商品”相关的合作研发及技术许可活动。

特别值得注意的是，本规则对“引起担忧”的外国主体的定义极其广泛，包含：（1）在中国境内的中国公民或中国居民；（2）根据中国法注册成立或主要经营地位于中国的实体；（3）中国政府直接或间接持有25%及以上股权/投票权/董事席位的实体（不限于中国境内）；（4）前述（1）-（3）主体直接或间接、单独或累计持有25%及以上股权/投票权/董事席位的实体（不限于中国境内）。同时，特别指定国民清单（SDN清单）主体、中国军工复合体企业清单(NS-CMIC清单)主体及其持股50%及以上的实体，以及实体清单实体，也受此合作研发及技术许可限制。

Q6：合作研发及技术许可限制的活动？

中国企业及其他受限主体将无法与获取补贴的企业进行涉及下列物项及技术的合作研发及技术许可活动：

• 利用纳米材料的半导体，包括一维和二维碳异构体，如石墨烯和碳纳米管；

• 化合物和宽带隙以及超宽带隙半导体；

• 经抗辐射处理的半导体（RHBP）；

• 完全耗尽的绝缘体上硅（FD-SOI）半导体，除了对于28纳米一代或更早一代的半导体的封装操作；

• 硅光子半导体；

• 用于量子信息系统设计的半导体；

• 用于在低温环境（小于等于77Kelvin）运行的半导体；

• 美国出口管制条例（EAR）项下的第三大类物项中因国家安全（NS）原因及地区稳定（RS）原因受管控的物项。

Q7：在半导体产业链中，正常的商业行为，诸如流片、封测等都可能会涉及技术交流，合作研发及技术许可限制是否会影响此类商业活动？

不影响。根据最终规则针对公众评论的回复意见，为避免合作研发及技术许可限制过度影响半导体产业链的正常运转，本次规则特别增加下列例外情形，允许正常的商业活动中的研发及技术许可：

• 参加与标准相关的活动（适用EAR中的定义，"与标准相关的活动 "包括：1）制定、通过或应用一项标准，包括但不限于符合性评估程序，目的是"公布"由此产生的标准；2）为制定、颁布、修订、修正、重新发布、解释、实施或以其他方式维护或应用此类标准而采取的行动）；

• 与现有产品（“exiting product”, 最终规则及公众评论原文对此未进行明确定义）的制造工艺相关的研究、开发或工程设计，该制造工艺的唯一目的是为芯片产品提供代工、测试或封装服务；

• 在交易中各方之间进行的，为拟开展交易产品进行图纸、设计或相关参数的研发或工程设计活动不受限制。例如，芯片设计公司向芯片制造厂或封测厂提供芯片设计图纸或相关规格文件，不受本条限制（先进制程芯片及受国家安全原因管控芯片的流片还需考虑EAR项下的限制）；

• 为进行维保服务或客户支持而进行的技术交流活动不受限制。这意味着即使供应商获取了美国补贴，中国企业已采购的原料、产品、设备、软件等的正常维保不会受到影响。

Q8：合作研发及技术许可限制的目的？

合作研发及技术许可限制是为了限制中国企业及其他受限主体通过进行合作研发或获取技术许可的方式（包括通过合资企业的形式），从获取美国补贴的原材料厂、设备厂、fab厂、封测厂处获取先进技术。在该等限制项下，无论特定产品或技术是否受美国法律的管辖，只要技术提供方获取了美国联邦政府的补贴，其与中国企业间的技术合作就将受限，这也是美国通过联邦补助资金迫使掌握先进技术的厂商“选边站”的政治手段之一。

在这一限制项下，中国企业当前正常的商业活动不会受到限制，当前正在进行的合作研发或技术许可也不会受限，但在未来，中国企业将只能通过自主研发的形式完成半导体关键技术的突破。

二、应对建议

《芯片法案》项下的“护栏条款”在短期内不会对中国半导体企业的正常经营活动产生直接影响。但从长远角度，中国半导体企业在中国境内获取原材料、设备及流片、封测服务，及与国际一线厂商进行技术合作和交流以实现关键技术突破的前景，可能受到“护栏条款”的不利影响。建议中国企业密切关注当前主要供应商及合作方获取美国联邦政府的补贴的情况，梳理“护栏条款”对企业的采购、生产及研发活动的影响，积极寻求替代方案，并着力增强自主研发能力，以实现企业的可持续发展。

此外，“护栏条款”中对于“成熟制程”半导体、合作研发及技术许可限制中技术和物项等技术指标和范围的界定，也可能影响美国商务部、财政部等其他部门对于中国半导体行业进一步升级管控的方向，相关行业的中国企业应予以特别关注，做好应对预案。

[1] https://www.law.cornell.edu/uscode/text/26/1504