美国针对中国半导体行业的出口管制新规简介
引 言
美国时间2023年10月17日，美国商务部继续贯彻“小院高墙”政策，对中国人工智能、半导体行业采取出口管制升级限制，再次对其2022年10月7日针对中国先进计算、半导体制造及超算领域推出的史无前例的严厉管制措施（“2022年规则”）进行了修改与升级（“2023年新规”）。2023年新规主要分为两部分：1. 修改并显著扩大对先进计算芯片及超算领域的出口管制限制；2. 修订针对半导体制造设备及先进制程集成电路制造的限制规则。两部分规则均于2023年11月17日正式生效。
2023年新规公布之后，中国的先进计算行业（GPU/AI企业），数据中心以及使用高算力芯片的各行业，随即感受到了关乎生存与发展的真切压力。此外，2023年新规针对较多关键概念并未明确（例如，“数据中心”、“总部/母公司” ），同时针对相关公众评论的案例也进行了较为宽泛的解读（甚至超越了以往出口管制合规的常规理解），诸多不确定因素进一步对半导体上下游主体的合规实践带来了新的压力和挑战。
一、新规对先进计算芯片及超算领域的限制
鉴于2022年规则针对高算力芯片3A090的管控指标相对较高，英伟达等厂商得以通过降低芯片互联速率的方式实现对华持续供应，同时，美国商务部认为中国企业正在通过海外子公司或其他海外渠道，规避许可证要求以获取先进计算芯片。在此背景下，为进一步限制中国企业获取先进计算芯片或进行该等芯片的流片，此次新规修改了3A090芯片及相关物项的技术指标，扩大了针对该等芯片的许可证要求及直接产品原则的适用范围，并增加了先进计算最终用途管控。
1. 修改受控先进计算芯片的技术指标
（1）3A090技术指标的修改
BIS此次新规整体修改了此前2022年规则按性能和带宽两个指标进行管控的方法，改为通过“总处理性能(Total Processing Performance)”及“性能密度(Performance Density)（特定计算公式）”两个指标，对落入3A090的芯片进行规定。当前落入3A090的芯片包括符合下列任一条件的含有一个或多个数字处理单元的集成电路：
3A090.a：
- 总处理性能为4800或以上；或
- 总处理性能为1600或以上，且性能密度为5.92或以上。
3A090.b：
- 总处理性能为2400-4800以下，且性能密度为1.6（包含本数）至5.92以下（不包含本数）；
- 总处理性能为1600或以上，且性能密度为3.2（包含本数）至5.92以下（不包含本数）。
同时需注意，如特定芯片并未被设计或市场宣传推广为用于数据中心的芯片，且其总处理性能低于4800的，该等芯片不落入3A090的管控范围。然而，BIS并未对何种情形构成“被设计或市场宣传推广为用于数据中心”进行明确规定。在2023年11月7日的公开听证会中，BIS官员提到，如果特定产品既可以用于数据中心，又可以用于非数据中心，则应被认定为用于数据中心。这一表态可能意味着BIS将对“被设计或市场宣传推广为用于数据中心”这一概念进行从严解释，据报道，BIS将可能在2024年1月发布后续解读或FAQ，相关厂商应对这一趋势予以关注。
（2）4A090技术指标的相应修改
为与3A090的技术指标保持一致，BIS将4A090的指标修改为包含等于或超过下列指标的集成电路的电脑、“电子组件”或“部件”：
总处理性能为4800或以上；或
总处理性能为1600或以上，且性能密度为5.92或以上。
同时，“2022年规则”中，除管控3A090及4A090外，BIS还加入了兜底条款，以管控落入其他ECCN，但性能指标“等于或超过3A090或4A090”的物项。然而，该兜底条款规定较为模糊，不利于实操中具体ECCN的判断，因此，BIS此次将该兜底条款拆分为了九个单独的ECCN编码，进行分别管控：3A001.z, 4A003.z, 4A004.z, 4A005.z, 5A002.z, 5A992.z, 5A004.z, 5D002.z, 5D992.z。
（3）NAC许可证例外——对3A090及4A090的分级管理
除对3A090的指标进行修改外，新规还增加了“已报告的先进计算”(Notified Advanced Computing，NAC)许可证例外，对先进计算芯片进行分级管理：
第一级：总处理性能高于4800或总处理性能为1600以上，且性能密度为5.92或以上，且被设计或市场宣传推广为用于数据中心的芯片（及包含该芯片的4A090电脑或组件/部件）适用RS（地区稳定）许可证要求，向“被列入D:1, D:4, 或 D:5组，且未被同时列入A：5或A：6组的国家/地区”（“先进算力受限国家”）提供需许可证；
第二级：针对下列物项可适用NAC例外向“先进算力受限国家”提供：
- 总处理性能高于4800，但未被设计或市场宣传推广为用于数据中心的芯片；
- 包含前述两类芯片的4A090电脑、电子组件及部件；
- 总处理性能为2400-4800以下，性能密度为1.6-5.92以下，且被设计或市场宣传推广为用于数据中心的芯片；
- 总处理性能为1600或以上，性能密度为3.2-5.92以下，且被设计或市场宣传推广为用于数据中心的芯片；
- 性能指标等于或超过前述标准的3A001.z, 4A003.z, 4A004.z, 4A005.z, 5A002.z, 5A004.z, 5A992.z, 5D002.z, 或5D992.z物项。
NAC例外的适用条件如下：
向被列入D:1, D:4组国家提供前述物项的，需提供书面采购订单；
向澳门和被列入D:5组国家提供前述物项的，需在SNAP-R系统中向BIS提交报告。需注意的是，如有多批货物出口的，只需在第一次出口及再出口时提交报告即可（即国内转移无需提交）。
同时需注意的是，NAC例外无法适用于EAR第744节中针对最终用户/最终用途的限制（包括对军事最终用户、军事最终用途的限制），及EAR第746节中针对特定国家/地区的限制。
2. 修改受控先进计算芯片的许可证要求
“2022年规则”针对3A090、4A090及等于或超过其指标的物项创设了新的地区稳定（Regional Stability Control）许可证要求，导致该等物项“向中国及澳门”提供需许可证，此次新规将前述物项的许可证要求扩展为向“先进算力受限国家”提供均需许可证。此次许可证要求的扩张旨在限制中国特定实体通过其他D组国家规避针对中国及澳门地区的许可证限制。
针对该等许可证要求，许可证审查政策为：
向非澳门或D:5组国家提供，推定批准，除非物项将被转移至总部或最终母公司位于澳门或D：5组国家的实体，针对该等实体，许可证审查政策为推定拒绝(presumption of denial)；
向澳门或D：5组国家提供的，推定拒绝。
但当前BIS并未对何种企业构成“总部或最终母公司”位于澳门或D：5组国家进行解释，为这一许可证要求的适用带来了一定的不确定性。
3. 修改先进计算直接产品原则
与针对3A090、4A090及等于或达到前述物项指标的物项的许可证要求保持一致，新规还扩大了先进计算直接产品原则中的目的地范围。
“2022年规则”中，如明知相关物项将被用于下列用途及目的地的，可能因先进计算直接产品原则受EAR管辖：
向中国或澳门提供或将被并入向中国或澳门提供的任何非EAR99类的组件、计算机或设备，或
外国制造的产品为由总部位于中国或澳门的实体开发的用于研发和制造掩膜、集成电路硅片或裸片（Die）的技术。
此次规则：
将第一条中的最终目的地扩大至所有被列入“先进算力受限国家”，及总部或最终母公司位于D：5国家或澳门的全世界范围内的实体；
将第二条的相关实体的范围扩大至总部或最终母公司位于D：5组国家或澳门的实体。
4. 扩大超级计算机最终用途，新增先进计算最终用途管控
（1）超级计算机最终用途管控
“2022年规则”中，如明知相关物项将被用于下列用途的，在无许可证情况下不得提供受EAR管辖的ECCN为 4A003, 4A004, 4A994, 5A002, 5A004, 或 5A992的物项：
设计、研发、生产、运行、安装（包括实地安装）、维护（检查）、修理、改造或重整位于或最终目的地为中国或澳门的超级计算机，或
将物项并入位于或最终目的地为中国或澳门的超级计算机的部件、组件或设备，或用于前述部件、组件或设备的研发或制造。
为管控特定规避行为，此次新规将超级计算机最终用途管控的最终目的地范围扩大为澳门或D：5组国家。
（2） 增加先进计算最终用途管控
此次新规新增对先进计算物项的最终用途管控，如明知相关物项将向总部位于或最终母公司位于澳门或D：5组国家，且位于除“先进算力受限国家”之外的任何最终目的地的实体提供的，在无许可证情况下不得提供3A090, 4A090及其余9个ECCN中等于或超过前述物项指标的物项（3A001.z, 3A090, 4A003.z, 4A004.z, 4A005.z, 4A090, 5A002.z, 5A004.z, 5A992.z, 5D002.z, 或5D992.z）。
这一最终用途管控的增加旨在管控针对先进计算芯片许可证要求的规避行为。
二、新规对半导体制造设备、先进制程集成电路制造的限制
为进一步限制中国先进制程集成电路制造，本次新规新增管控了一系列可用于先进制程集成电路制造的设备（包括外延生长、刻蚀、沉积、光刻设备等）。同时，为避免出口管制限制对半导体供应链造成不必要的影响，本次规则还进行了一定的限缩和澄清，明确了针对中国半导体制造设备行业、中国先进制程集成电路制造的相关限制的适用范围。
1. 新增半导体制造设备管控
此次新规在3B001项下新增对多类半导体制造设备的管控，包括：
外延设备：3B001.a.4：具有特定参数的、设计用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂SiGe外延生长的设备，受到NS及RS原因管控。
刻蚀设备：
- 3B001.c.1: 干法蚀刻设备（包括各向同性干法刻蚀(3B001.c.1.a)及各向异性干法蚀刻(3B001.c.1.b, 3B001.c.1.c)）;
- 3B001.c.2：专为湿法化学加工而设计，最大“硅锗与硅刻蚀选择性之比（silicon germanium-to-silicon etch selectivity ratio）”大于或等于100:1的设备。
沉积设备：将2022规则中新增的沉积设备调整至3B001.d管控，并增加对特定沉积设备的管控，例如3B001.d.9：具有晶圆支撑平台的空间ALD设备，该平台围绕具有以下任一特征的轴旋转：空间等离子体增强型 ALD 操作模式、等离子体源或等离子体屏蔽或将等离子体限制在等离子体暴露过程区域的装置。
光刻设备：3B001.f.1: 适用于光源波长等于或大于 193 nm 且满足某些参数的光刻设备，并在 3B001.f.1.b.2 项下管控最大“专用卡盘覆盖”小于或等于1.50nm，或大于1.50nm但小于或等于2.4nm的物项。
光刻配套物项：如3B001.l EUV薄膜，3B001.m 用于制造EUV薄膜的设备，3B001.n 设计用于涂覆、沉积、烘烤或开发为EUV光刻配制的光刻胶的设备等。
退火设备：3B001.o 具有指定参数的半导体晶圆制造退火设备；
晶圆制造清洗和移除设备：3B001.p。
2. 修改与先进制程集成电路相关的“美国人限制”及“最终用途管控”
“2022规则”中对在中国及澳门境内进行先进制程集成电路制造设置了两项限制：美国人行为限制及最终用途管控。此次规则扩大了前述限制规定的适用范围，并对规定细节进行了略微修改。
针对美国人行为的限制：美国人如“知悉”物项将被用于总部位于澳门或D：5组国家或最终母公司的总部位于前述国家/地区的先进制程集成电路制造设施（where “production” of “advanced-node integrated circuits” occurs）进行集成电路“开发”（development）和“生产”(production)的，美国人批准或进行向该等设施运输或转移物项的行为，或提供与该等物项相关的服务，需向BIS申请许可证。
先进制程最终用途管控：任何人如“知悉”受EAR管辖的物项将被用于前述最终用途的，提供该等物项需向BIS申请许可证。
此次规则中明确了前述限制的以下适用要点：
如果在同一地点存在不同产线，但并非所有产线都能生产“先进制程集成电路”，仅生产“先进制程集成电路”的设施（即建筑）将受到限制。
“生产”活动可能发生在制造设施之外的相关设施，而非狭隘地解释为仅包括无尘室或生产车间。
“设施(facility)”包括发生重要后期产品工程或早期制造步骤的设施。
“开发”和“生产”活动可能在同一设施发生，可以囊括不涉及芯片批量生产的开发和产品工程活动。但是，只进行“开发”活动的设施不属于受限范围。
3. 修改与半导体制造设备相关的“美国人限制”及“最终用途管控”
“2022规则”中针对半导体制造设备也施加了两项限制：美国人行为限制及最终用途管控。此次规则调整了前述限制规定的适用范围，并对规定细节进行了略微修改。
（1）针对美国人行为限制的修改
针对美国人行为的限制，此次规则主要调整了受限物项的ECCN编码，以与前述新增设备管控保持一致；同时，将许可证要求的适用范围从中国及澳门扩展至澳门及所有D：5组国家/地区。
当前规则：美国人如“知悉”物项符合3B001.a.4, c, d, f.1.b, k to p, 3B002.b & c，或与前述设备相关的3D001 、3D002、3E001的技术指标，美国人批准或进行向该等设施运输或转移物项的行为，或提供与该等物项相关的服务，需向BIS申请许可证。
（2）半导体制造设备最终用途管控的修改
针对最终用途管控，此次规则进行了下列两项修改：
限缩了对半导体制造设备最终用途的限制，将需许可证方能提供的物项范围从“所有受EAR管辖物项”缩小到“受EAR管辖且属于CCL清单上的物项”(即不包括EAR99物项)，
将最终用途范围缩小到3B类的“前端集成电路‘生产’设备”及部件、组件、附件，不再包括专门用于后端步骤或其他应用（例如，在集成电路“生产”之外）的不改变集成电路技术水平的设备，并将光掩模排除出最终用途限制范围。
当前规则：任何人如“知悉”任何受EAR管辖的ECCN物项将被提供至澳门或D：5组国家/地区，用于前端集成电路生产设备（包括ECCN 3B001、3B002、3B611、3B991或3B992, 3B001.g, h, j及3B991.b.2除外）及部件、组件、附件的“开发”和“生产”的，提供该等物项需向BIS申请许可证。
三、启示
美国商务部当前对中国半导体行业及人工智能行业的限制仍在遵循基本的“小院高墙”方针，通过规则的不断修订和完善以实现对中国先进计算、超算、先进制程集成电路制造、前端半导体制造设备行业的精准且严格的限制。
在当前形势下，中国企业可考虑从以下方面开展相关风险应对工作：
密切关注美国商务部的政策动向：从去年及今年的规则完善和修订过程可以看出，美国商务部正在逐步研究和探讨如何利用出口管制规则精准实现其政策目标的过程中，相关规则内容仍处于不确定状态。建议企业紧密关注美国商务部官员的表态、各类企业及研究机构对当前规则提出的建议、及未来商务部的规则解释及适用指导，以进一步明确相关规则对企业发展的影响。
结合当前规则谨慎梳理并调整公司发展战略及方向：即使当前规则仍存在诸多不确定之处，美国政府对中国半导体及人工智能行业的限制方向及限制模式也已基本确定。中国企业当前面临着较为关键的战略选择，是继续攻坚先进技术领域，还是转战成熟市场，中国企业需在深入了解美国出口管制规则及逻辑的基础上，进行审慎评估及选择。
